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產(chǎn)品展示/ Product display

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德威世Vishay薄膜電容器BRCP

德威世Vishay薄膜電容器BRCP
Vishay 的薄膜電容器包括可引線(xiàn)鍵合的單值、二元和條形 MOS 以及表面貼裝射頻電容器。

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠(chǎng)商性質(zhì):經(jīng)銷(xiāo)商
  • 更新時(shí)間:2024-07-08
  • 訪(fǎng)  問(wèn)  量:1060
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詳細介紹

德威世Vishay薄膜電容器BRCP


Vishay 的薄膜電容器包括可引線(xiàn)鍵合的單值、二元和條形 MOS 以及表面貼裝射頻電容器。

Vishay 薄膜條形 MOS 電容器

產(chǎn)品可能不按比例制作 條形電容器是種 MOS 電容器,為需要超高額定功率和微型外殼尺寸的混合組件而設計。

特征

• 堅固的 MOS 結構

• 允許多個(gè)引線(xiàn)鍵合。在低值時(shí),案例 A 將接受 7 個(gè)債券,案例 B 將接受 15 個(gè)債券。

• 低D,高Q

• 的負載壽命穩定性

應用

• 混合組件

• 低通 LC、RC 或 LRC 集總濾波器

• DC 饋電的射頻阻塞

• 阻抗匹配

• SiC 或 GaN 高頻/大功率應用

筆記

(1) 見(jiàn)表“外殼尺寸值和公差"。

WV (DC) 值和公差

電容器型號 A B 單元

外殼尺寸 1204 2404

電容值 5  50 10  100 pF

公差 5 5 %

直流工作電壓 100 100 V

標準電氣規格

參數值單位

電容范圍 5  100 pF

容差,1 kHz (1) 低 ± 5 %

TCC,-55 °  125 °C ± 50 ppm/°C

工作溫度范圍 -55  +150 °C

工作電壓 100 大。五

耗散因數,1 MHz 0.01 大值。

值穩定性,1 kHz,1000 h,70 °C,100 VDC ± 0.25 %

短時(shí)過(guò)載,2 x 額定電壓,25 °C,5 s ± 0.25 %

熱沖擊,MIL-STD-202,方法 107 F ± 0.25 %

防潮性,MIL-STD-202,方法 106* ± 0.25 %

高溫暴露,100 小時(shí),150 °C ± 0.25 %

低溫運行,-65 °C,45 分鐘,100 VDC ± 0.25 %

型號:

B R C P A 1 0 0 0BK G C S T

C B A 3 7 5 0 CM A H W S

N C A A 4 7 0 0 C MAH K W S

C B B 3 1 0 0BL G K W S

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Vishay 薄膜二進(jìn)制 MOS 電容器

產(chǎn)品可能無(wú)法按比例縮放

每個(gè) CBA MOS 電容器芯片都包含四個(gè)不同的二進(jìn)制增量電容器,允許用戶(hù)在值選擇中進(jìn)行多種選擇。有兩種版本的 CBA 電容器可供選擇:種總電容為 3.75 pF,另種總電容為 15 pF。

這些芯片采用 Vishay Electro-Films (EFI) 精密的薄膜設備和制造技術(shù)制造。 CBA 經(jīng)過(guò) 100 的電氣測試和目視檢查,符合 MIL-STD-883 標準。

特征

• 可焊線(xiàn)

• 用戶(hù)值選擇

• 四個(gè)共同連接的電容器

• 電容范圍:0.25 pF  15 pF(二進(jìn)制)

增量

• 電介質(zhì):二氧化硅

• 芯片尺寸:0.019" x 0.030"

• 基材:帶金背襯的硅

• 材料分類(lèi):關(guān)于合規性的定義

應用

Vishay EFI CBA 二進(jìn)制 MOS 多值電容器芯片為需要修整微波電路的混合封裝而設計。這是在 CBA 芯片上通過(guò)傳統技術(shù)為所需電容和引線(xiàn)鍵合選擇鍵合焊盤(pán)來(lái)完成的。

Vishay 薄膜單值芯片和線(xiàn)電容器

與厚膜電容相比,NC系列薄膜電容具有更高性能和更小尺寸的優(yōu)勢。這些芯片的尺寸小 20 百萬(wàn)平方,電容高達 1000 pF。

零件需要環(huán)氧樹(shù)脂或共晶芯片連接到基板和個(gè)引線(xiàn)鍵合。

這些芯片采用 Vishay Electro-Films (EFI) 精密的薄膜設備和制造技術(shù)制造。 NC 經(jīng) 1% 電氣測試和目視檢查,符合 MIL-STD-883 標準。

特征

• 可焊線(xiàn)

• 小尺寸:0.020 英寸見(jiàn)方 0.060 英寸

正方形

• 基材:帶有金背襯的硅

• 電介質(zhì):二氧化硅/氮化硅

• 電容范圍:0.5 pF  1000 pF

• 材料分類(lèi):

應用

Vishay  NC 系列電容器芯片設計用于使用傳統引線(xiàn)鍵合技術(shù)組裝在混合電路中。它們提供的穩定性和性能,而且它們的小尺寸為混合設計者提供了更大的布局靈活性。它們可用作 MNOS 或 MOS 電容器。當需要低介電吸收時(shí),MOS 版本。

德威世Vishay薄膜電容器BRCP

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